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TSMC empezará a producir en 5 nm en la segunda mitad de 2019

La compañía espera que los 7 nm supongan el 20% de sus ingresos ese año.

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Mientras Intel sigue luchando por seguir adelante con sus 10 nm, TSMC no ha parado con sus nodos de fabricación cada vez más pequeños y ya ha confirmado que tiene planteado comenzar a producir los 5 nm en la segunda mitad de 2019. Además, la empresa espera que el nodo de 7 nm suponga un 20% de sus ingresos totales de 2019, por lo que la demanda tiene que ser enorme para que hagan esa valoración. TSMC debe tener previsto liderar el mercado de los 7 nm después de que GlobalFoundries haya decidido dejar de lado la fabricación de semiconductores.


Antes de los 5 nm, TSMC planea desarrollar un nodo de 7 nm FinFET+, que adopta tecnología EUV para varios niveles del proceso de fabricación. En el caso de los 5 nm FinFET, esta tecnología afectará a capas más importantes, reduciendo la necesidad de estampación múltiple. Este cambio también permitirá que los 5 nm ofrezcan una mayor reducción del transistor en comparación con los 7 nm: los primeros informes hablan de una reducción de área del 45% con respecto a los 7 nm FinFET. Para referencia, hay que tener en cuenta que los 7 nm FinFET ya ofrecían una reducción del 70% con respecto a los 16 nm; o sea, que el nodo de 5 nm será extremadamente compacto. Por otra parte, se espera que las mejoras de consumo energético y de rendimiento de este nodo sean menores.


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