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TSMC detalla el futuro proceso de fabricación de 5 nm FinFET

Los chips serán muchísimo más flexibles.

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TSMC detalla el futuro proceso de fabricación de 5 nm FinFET

Ya sabemos que la tecnología de procesamiento de 7 nm FinFET de TSMC ya se está produciendo en masa (para dar forma a las próximas tarjetas de AMD, por ejemplo), pero eso no quiere decir que la empresa china se haya dormido en los laureles, porque ya está trabajando en el proceso de fabricación de 5 nm FinFET, que debería llegar para 2020.


El proceso de cinco nanómetros será el segundo que use litografía del ultravioleta extremo (EUV), cosa que permitirá a la compañía mejorar la densidad de los transistores en comparación con los de 7 nm. El nodo de 7 nm+, que llegará pronto, será el primero que use esa tecnología, pero se usará con medida para reducir la complejidad de fabricación, más que para lograr una mayor densidad. Comparado con el de 7 nm, el proceso de 5 nm no va a presentar mejoras de rendimiento. Reducirá un 20% el consumo energético por el mismo rendimiento o complejidad, por un lado, o mejorará un 15% el rendimiento con el mismo consumo energético o complejidad, por el otro. Son menos de la mitad de beneficios que se obtenían al pasar de los 16 nm a los 7.


Dicho esto, las frecuencias de los chips podrán beneficiarse mucho más del nuevo diseño y la densidad del silicio. Los fabricantes podrán desarrollar nuevas características, como un nuevo modo ELTV, o “tensión de umbral extremadamente baja”, que permitirá aumentar las frecuencias de los chips hasta en un 25%. No obstante, TSCM no ha especificado en qué clase de chips podrá aprovecharse esta ventaja. Con una reducción de superficie del 45%, el proceso de fabricación de 5 nm permitirá colocar un 80% más de transistores en la misma zona que el de 7 nm, por lo que podrán crearse chips mucho más complejos. En AnandTech podéis ver con detalle una comparativa de rendimiento para ir soñando con el futuro.


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